国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121240451A，申请日期为2021年3月。

　　专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个导电图案和多个层叠绝缘层；沟道结构，其穿透层叠结构；隧道绝缘层，其围绕沟道结构；单元存储图案，其围绕隧道绝缘层；以及虚设存储图案，其围绕隧道绝缘层，虚设存储图案与单元存储图案间隔开。导电图案包括与隧道绝缘层接触的选择导电图案。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。